Technische Physik - Halbleiterphysik, Nanostrukturierung & Analytik

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High temperature-stable InGaAs QDs for the monolithic integration in external-cavity surface-emitting lasers
(2021) Kassel, Universität Kassel, Fachbereich Mathematik und Naturwissenschaften; Reithmaier, Johann Peter (Prof. Dr.); Viöl, Wolfgang (Prof. Dr.)
High-Speed Semiconductor Lasers based on Low-Dimensional Active Materials for Optical Telecommunication
(2012-07-10) Kassel, Universität, FB 10, Mathematik und Naturwissenschaften, Institut für Physik; Reithmaier, Johann Peter (Prof. Dr.); Hillmer, Hartmut (Prof. Dr.); Garcia, Martin (Prof. Dr.); Eisenstein, Gadi (Prof.)
High-Speed 1.55 µm Quantum Dot Lasers with Electronically Coupled Quantum Well - Dot Active Regions
(2019-07-31) Kassel, Universität Kassel, Fachbereich Mathematik und Naturwissenschaften, Institut für Physik; Reithmaier, Johann Peter (Prof. Dr.)
1.55 µm High-Speed QDs Lasers for Optical Telecommunication Applications
(2014-12-19) Kassel, Universität, FB 10, Mathematik und Naturwissenschaften, Institut für Physik; Reithmaier, Johann-Peter (Prof. Dr.); Hillmer, Harmut (Prof. Dr.); Garcia, Martin E. (Prof. Dr. ); Ehresmann, Arno (Prof. Dr.)
Molecular Beam Epitaxial Growth of III-V Semiconductor Nanostructures on Silicon Substrates
(2013-07-24) Kassel, Univ., Fachbereich 10 - Mathematik und Naturwissenschaften; Reithmaier, Johann Peter (Prof. Dr. ); Hillmer, Hartmut (Prof. Dr.)