Verbundvorhaben "HELENE" - Hocheffiziente, langlebige und kompakte Leistungselektronik auf GaN-Basis für die Elektromobilität der Zukunft

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dc.contributor.corporatenameKassel, Universität Kassel, Fachgebiet Elektrische Energieversorgungssysteme (EVS) am Kompetenzzentrum für Dezentrale Elektrische Energieversorgungstechnik (KDEE)ger
dc.date.accessioned2021-09-15T09:13:07Z
dc.date.available2021-09-15T09:13:07Z
dc.date.issued2020
dc.description.sponsorshipBMBF: 16EMO0234, Verbundnummer 01175077
dc.identifierdoi:10.17170/kobra-202109074725
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/13244
dc.language.isogerger
dc.rightsNamensnennung - Weitergabe unter gleichen Bedingungen 4.0 International*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/*
dc.subject.ddc620
dc.subject.swdElektrofahrzeugger
dc.subject.swdKonverter <Elektronik>ger
dc.subject.swdHalbleiterger
dc.subject.swdStromrichterger
dc.subject.swdTransformatorger
dc.titleVerbundvorhaben "HELENE" - Hocheffiziente, langlebige und kompakte Leistungselektronik auf GaN-Basis für die Elektromobilität der Zukunftger
dc.title.subtitleProjektabschlussbericht : Teilvorhaben der Universität Kassel/KDEE-EVS: Entwicklung innovativer Bordnetzwandler auf GaN-Basisger
dc.typeWorking paper
dc.type.versionpublishedVersion
dcterms.abstractDie vom Fachgebiet Elektrische Energieversorgungssysteme (EVS) am Kompetenzzentrum für Dezentrale Elektrische Energieversorgungstechnik (KDEE) der Universität Kassel durchgeführten und in diesem Bericht vorgestellten Arbeiten haben einen Beitrag zum Verbundvorhaben „Hocheffiziente, langlebige und kompakte Leistungselektronik auf GaN-Basis für die Elektromobilität der Zukunft“ (HELENE) geleistet. Ziel des Gesamtvorhabens war die Untersuchung der Einsatzfähigkeit und die Bewertung und Demonstration von Gewichts- und Volumenvorteilen sowie die Kostenentwicklung, die sich durch die Nutzung von GaN-Halbleitern in leistungselektronischen Wandlern für die Automobilindustrie ergeben. Die Universität Kassel stellte dabei umfassende Recherchen zu möglichen Topologien an, untersuchte verschiedene Halbleiter bezüglich ihrer Verluste, entwickelte geeignete magnetische Bauelemente und entwickelte Konzepte, wie ein GaN-basierter Konverter kühlungs- und volumenoptimiert aufgebaut werden kann. Die als optimal identifizierte Topologie wurde zunächst in einem Funktionsmuster mit SiC- und Si-Halbleitern validiert und anschließend in einem Demonstrator mit kompletter GaN-Bestückung hinsichtlich Kompaktheit optimiert.ger
dcterms.accessRightsopen access
dcterms.creatorDe Oliveira, Eduardo Facanha
dcterms.creatorPfeiffer, Jonas
dcterms.creatorSprunck, Sebastian
dcterms.extent108 Seiten
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