Modification and Analysis of Group-13-Nitride Semiconductor Surfaces: Influence of Adsorbates on Device Characteristics and Processing

2016-04-042016-04-042016-04-04urn:nbn:de:hebis:34-2016040450082http://hdl.handle.net/123456789/2016040450082engUrheberrechtlich geschützthttps://rightsstatements.org/page/InC/1.0/III-V HalbleiterIII-V semiconductorIII-V OberflächenanalyseIII-V surface analysisIII-V OberflächenmodifizierungIII-V surface modificationGrenzflächenzuständeInterface statesDefektätzendefect etchingKontaktwinkel auf GaNGaN contact angles500540Modification and Analysis of Group-13-Nitride Semiconductor Surfaces: Influence of Adsorbates on Device Characteristics and ProcessingDissertationHalbleiteroberflächeChemische AnalyseModifizierungDrei-fünf-Halbleiter