Search
Now showing items 1-6 of 6
Dissertation
Synergistischer photoinduzierter Schadstoffabbau mittels eines Porphyrazin-Titandioxid-Hybrids
(2016-08-24)
Die zunehmende Luftverschmutzung aufgrund des steigenden Energiebedarfs und Mobilitätsanspruchs der Bevölkerung, insbesondere in urbanen Gebieten, erhöht das Gefährdungspotential für die Gesundheit und verschlechtert so die Lebensqualität. Neben der Vermeidung von Emissionen toxischer Gase als mittel- und langfristig optimale Maßnahme zur Verbesserung der Luftqualität, stellt der Abbau emittierter Luftschadstoffe ein geeignetes und kurzfristig wirksames Mittel dar.
Ein solcher Abbau kann durch Photokatalyse erzielt ...
Dissertation
Synthese, Charakterisierung und koordinationschemische Untersuchung neuer Ferrocen-basierter Mono- und Diphosphidoliganden
(2016-08-29)
Die vorliegende Dissertation beschäftigt sich mit der Synthese der außerordentlich unterentwickelten Substanzklasse der sekundären Disphosphinoferrocene sowie der Auslotung ihrer koordinationschemischen Eigenschaften, speziell gegenüber den Übergangsmetallen Zirkonium und Nickel und dem Alkalimetall Lithium.
Dissertation
Synthese, Struktur und Eigenschaften mehrfach funktionalisierter Alkinylsilane
(2016-03-21)
Die vorgelegte Arbeit beschäftigt sich mit der Synthese alkinsubstituierter Silane. Die dafür erforderliche Gratwanderung zwischen organischer und anorganischer Chemie bringt Herausforderungen in der gezielten Synthese mehrfachalkinierter Silane mit sich. Hauptgebiet der vorgestellten neuen Synthesewege stellt die Darstellung relativ kleiner Polyethinylsilane dar. Angefangen bei der Etablierung allgemein gültiger Synthesevorschriften für die bisher noch sehr gering erforschten Oligochlorethinylsilane wird in weiterer ...
Dissertation
Modification and Analysis of Group-13-Nitride Semiconductor Surfaces: Influence of Adsorbates on Device Characteristics and Processing
(2016-04-04)
Im Rahmen dieser interdisziplinären Doktorarbeit wird eine (Al)GaN Halbleiteroberflächenmodifikation untersucht, mit dem Ziel eine verbesserte Grenzfläche zwischen dem Material und dem Dielektrikum zu erzeugen. Aufgrund von Oberflächenzuständen zeigen GaN basierte HEMT Strukturen üblicherweise große Einsatzspannungsverschiebungen. Bisher wurden zur Grenzflächenmodifikation besonders die Entfernung von Verunreinigungen wie Sauerstoff oder Kohlenstoff analysiert. Die nasschemischen Oberflächenbehandlungen werden vor ...